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结构陶瓷在晶体中晶格能愈大，离子结合也愈牢固，离子的扩散也愈困难，所需特种陶瓷烧结温度也就愈高特种陶瓷。各种晶体结合情况不同，因此烧结温度也相差很大，即使对同一种晶体烧结温度也不是一个固定不变的值。

提高特种陶瓷烧结温度无论对固相扩散或对溶解一沉淀等传质都是有利的。但是单纯提高烧结温度不仅浪费燃料，很不经济，而且还会促使二次结晶而使制品性能恶化。在有液相的烧结中，温度过高使液相量增加，黏度下降，使制品变形。因此不同陶瓷辊制品的烧结温度必须仟细试验来确定。

氧化锆陶瓷棒

由特种陶瓷环烧结机理可知，只有体积扩散导致坯体致密化，表面扩散只能改变气孑L形状而不能引起颗粒中心间距的逼近，因此不出现致密化过程，图4-33表示表面扩散系数、体积扩散系数与温度的关系。

在烧结高温阶段主要以体积扩散为主，而在低温阶段以表面扩散为主。如果材料的烧结在低温时间较长，不仅不引起致密化反而会因表面扩散改变了气孔的形状而给制黼性能带来了损害。因此从理论上分析应尽可能快地从低温升到高温以创造体积扩散的条件。

特种陶瓷高温短时间烧结是制造致密陶瓷材料的好方法，但还要结合考虑材料的传热系数、二次再电子陶瓷结晶温度、扩散系数等各种因素，合理确定烧结温度。